სსიპ - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი
LEPL - FERDINAND TAVADZE METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE INSTITUTE
” წუნდებული InP კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესება რადიაციული ტექნოლოგიის მეშვეობით”

დ. ხომასურიძე, ნ. კეკელიძე,  დ. კეკელიძე, ლ. მილოვანოვა ე. ხუციშვილი, ზ. დავითაია, ბ. კვირკველია.

 

” წუნდებული InP კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესება რადიაციული ტექნოლოგიის მეშვეობით”

გამოყენებითი ფიზიკის აქტუალური საკითხები. საერთაშორისო კონფერენციის თეზისების კრებული. თბილისი.2011. გვ.278-281

 

ექსპერიმენტისთვის გამოყენებული იყო ჰორიზონტალური ზონური ლღობის მეთოდით მიღებული n-ტიპის  InP კრისტალები. ზოგიერთი ნიმუში იყო დაბალი ხარისხის, რადგან შეიცავდა გაზრდის პროცესში წარმოშობილ მოუწესრიგებელ უბნებს, რაც ხასიათდებოდა ძვრადობის დაბალი მნიშვნელობებით. მოუწესრიგებელი უბნების აღმოსაფხვრელად ხდებოდა ნიმუშების ჩქარი ნეიტრონებით  დასხივება. დასხივების შემდეგ ხდებოდა ძვრადობის გაზრდა დაახლოებით ორჯერ და დენის მატარებელთა კონცენტრაციის შემცირება რამოდენიმე რიგით. დასხივება იწვევს მოუწესრიგებელი უბნების დაშლას და 10 ნანომეტრზე ნაკლები ზომის წერტილოვანი ტიპის დეფექტების წარმოქმნას.  ჩვენს მიერ  გამოთვლილია მოუწესრიგებელი უბნების პარამეტრები.

1-12-2011    ნანახია: 1 393-ჯერ