სსიპ - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი
LEPL - FERDINAND TAVADZE METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE INSTITUTE
№ 6 ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორია
ბელა კვირკველია
ინჟინერი
iza_be_ll@hotmail.com

დაბადების თარიღი

10.01.1958

განათლება

  • თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი, ფიზიკის ფაკულტეტი. ბირთვული ფიზიკა. მაგისტრი;
  • საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი, ინფორმატიკის და მართვის სისტემების ფაკულტეტის დოქტორანტურა;

სამეც./აკად.ხარისხი (წოდება)

  • PhD;

სამუშაო გამოცდილება

  • 2013 წ. - დღემდე - სსიპ ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი. ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორია. ინჟინერი;
  • 2010 წ. - დღემდე - ივ.ჯავახიშვილის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი. ნივთიერებათა კვლევის ს/კ ინსტიტუტი. ატომური აბსორბციის განყოფილების გამგე;
  • 2009 - 2010 წწ.- ივ.ჯავახიშვილის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი. ნივთიერებათა კვლევის ს/კ ინსტიტუტი. უფროსი მეცნიერ–თანამშრომელი;
  • 1992 - 2007 წწ.- ივ.ჯავახიშვილის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი. ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ს/კ ლაბორატორია. წამყვანი ინჟინერი;
  • 1980 - 1992 წწ. - სამეცნიერო–საწარმოო გაერთიანება "მიონი". ინჟინერი, წამყვანი ინჟინერი, ბიუროს უფროსი, განყოფილების გამგე;

სახელშეკრულებო სამუშაოები

  • 7 საგრანტო პროექტის მონაწილე;

სამეცნიერო ინტერესები

  • ნახევარგამტარების ფიზიკა, ტექნოლოგია, რადიაციული ფიზიკა, ბირთვული ფიზიკა, ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობა, ფიზიკური მეთოდები ეკოლოგიისთვის;

ნაშრომები, პუბლიკაციები

  • Transport Properties of InAs-InP Solid Solutions. Journal of Electrical Engineering Vol. 2. pp.207-212. David Publishing Company. New York. NY 10034, USA. (2014);
  • Electrical Properties and Crystal Perfection of the n-Type Si-rich SiGe Alloys Bulk Single-Crystals. Journal of Electrical Engineering 3 pp. 53-59. David Publishing Company. New York. NY 10034, USA. (2015);
  • Preparation and Investigation of Electrical Properties of Indium Phosphide, Indium Arsenide and Their Alloys, Before and After Irradiation with Fast Neutrons and Electrons. Proceedings of the Georgian National Academy of Sciences. Chemical Series. Vol. 41. №1, 2. pp.77-84. Tbilisi. (2015);
  • Transport Properties in Solid Solutions of InP and InAs Semiconducting Compounds. Abstracts of the 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, TX, USA, http://www.icps2014.org/abstracts/Posters_Narrow_Gap_Semiconductor.pdf ;
  • Phenomenon of Mutual Compensation of Radiation Donors and Acceptors and Creation of Radiation-Resistant Materials. Journal of Electrical Engineering, David Publishing Company. Volume 2, Number 4, pp.187-192. David Publishing Company. New York. NY 10034, USA. (2014)
  • Current Carriers Scattering in InP-InAs solid Solutions. Journal of Electrical Engineering JEE. Vol.2, #2, pp.86-91. David Publishing Company. New York. NY 10034, USA. (2014);
  • Carrier mobility of InAs- and InP- rich InAs-InP solid solutions irradiated by fast neutrons. AIP (American Institute of Physics) Conference Proc. 1566, 103. © 2013 AIP Publishing LLC. Zurich, Switzerland. http://dx.doi.org/10.1063/1.4848306 ;
  • Electical Properties of InP Crystals With Inhomogeneities regions. ACTA PHYSICA POLONICA A. Vol.121,#1; pp.27-29; http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/121/a121z1p07.pdf . (2012);
  • Current Carriers Scattering on the Neutral Impurity Atoms in Crystals of Indium Phosphide. AIP (American Institute of Physics) Conference Proc. 1400, 37(2011); http://dx.doi.org/10.1063/1.3663081 . Tukey (2011);

გამოგონებები (საავტორო მოწმობები, პატენტები)

  • The device to keep the odoration constant level in household gas, National centre of intellectual propriety. #1239;
  • ინდიუმის ფოსფიდის (InP) კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესების ხერხი. ,,საქპატენტი’’, #14143/01;

სამეცნიერო სიმპოზიუმებში, კონფერენციებში მონაწილეობა

  • 2011 - Advances in Applied Physics and Materials Science Congress. Antalya, Turkey;
  • 2012 - ICPS 2012-31 International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland;
  • 2013 - Seventh International Conference "Physics in the LHC (Large Hadron Collider) era". Tbilisi, Georgia;
  • 2014 - 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014). Austin. TX. USA;
  • 2014 - REINM 2014. Radiation Effects in Insulators and Non-metallic Materials. Astana, Kazakhstan;

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა

  • 2015-2018. Shota Rustaveli National Science Foundation. Project #DI/38/7-220/14. Researcher;
  • 2014-2015. STCU-SRNSF. Project #5910. Group Leader;
  • 2013-2014. Shota Rustaveli National Science Foundation. #DO/104/6-160/13. Doctoral Student;
  • 2013 Shota Rustaveli National Science Foundation. Extreme Weather and Climate Events in the Southern Caucasus-Black Sea Region. International Conference. Logistics assistant;
  • 2012–2013. EU. Implementation of the project EU CHEMLAB-GEO for Georgia. Participant;
  • 2010-2011. Closed Nuclear Centres Partnership (CNCP). Chief Engineer;
  • 2010 Federal Department of Foreign Affairs FDFA, The Embassy of Switzerland. Senior Researcher;
  • 2009-2011 Georgian National Science Foundation (GNSF). Development of new radiation resistant semiconductor materials on the base of InPxAs1-x solid solution. Main Researcher;
  • 2005-2006 Ministry of Education and Science of Georgia. Study of physical phenomena in the actual prospective materials and on their base created elements and structures. Lead Engineer;

დამატებითი ინფორმაცია

  • 2014-Transfer of Technology. Science and Technology Center in Ukraine (STCU);