სსიპ - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი
LEPL - FERDINAND TAVADZE METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE INSTITUTE
№ 6 Semiconducting Materials Science Laboratory
Tengiz Qamushadze
Head of the Laboratory – Chief Researcher
t.qamushadze@gmail.com

Date of Birth

10.01.1949

Education

  • 1966-1971 - Tbilisi State University, Department of Physics;
  • 1971-1974 - Tbilisi State University Physics Faculty of Postgraduate Studies;

Scientific Degree (Rank)

  • A senior research employee with the scientific title, Doctor of  Phiz.-Math Science;

Work Experience

  • 1970 - Present - Faculty of Tbilisi State University;
  • 2015 - present - LEPL Ferdinand Tavadze Institute of Metallurgy and Materials Science;

Contractual Works

  • Participant or head of 4 international and national grant projects;

Scientific Interests

  • Semiconductors and dielectric of physics;

Papers and Publications

59 scientific works, including:

  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Руденко. “Теоретический расчёт ВАУ p-n-i-n+ структуры с учётом разогрева носителей заряда в электрическом поле”, Электронная техника, серия 3, Микроэлектроника, вып. 6.901, 1980;
  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Руденко, А.А.Шлёнский. “Исследования ВАХ p-n-i-n+ структуры на основе полуизолирующего GaAs:Cr, O” Электронная техника, серия 3. Микроэлектроника, вып.1/91/1981;
  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Шлёнский. “ p-n-i-n+ структура на основе полиизолирующего арсенида галлия как приемник излучения в инфракрасной и видимой области спектра“. ЖТФ, т.52, вып. 1, 1982.
  • И.А.Мирцхулава, А.А.Мирцхулава, Т.Д.Камушадзе, Д.П.Мгалоблишвили «О возможности получения GaAs с максимальной степенью компенсации». Военная техника и экономика. №7. 1977.
  • С.П.Ашмонтас, Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михаилов, Э.М.Омельяновский, Л.Е.Субачюс, Эвремя жизни носителей заряда в полуизолируюшем GaAs:Cr,O”. ФТПб т.15. вып.12, 1981;
  • М.М.Соболев, П.Н.Брунков, С.Г.Конников, М.Н.Степанова, В.Г.Никитин, И.П.Улин, А.Ш.Долбая, Т.Д.Камушадзе, Р.М.Майсурадзе. «Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенного из раствора-расплава в Ga-Bi”. ФТП, вып. 6, т.23, 1989;

Inventions ( Copyright Certificates, Patents)

  • 2 certificates (№1015792 and 1193723) and a patent (U 1371);

Participation in Scientific Symposiums and Conferences

  • Participant in Tomsk, Jurmala, Kaluga, Lithuania, international scientific conferences;

Participation in Scientific Grant Projects

  • Head of two grant projects funded by Department of Science and Technology of Georgia;
  • Creation of high sensitivity fast recting photo receiver and Tiristor(1997-1998);
  • Research of defects in transitions of multilayer epitaxial structures of GaAs & AlxGa1-xAs (1998-1999);
  • STCU's Grant project № 3641 "Creation of a dielectric state of IV-VI narrow-gap semiconductors dielectric" - researcher;
  • GNSF‘s grant project "pure new role IV- VI semiconductors for infrared lasers to improve the characteristics" (2008-2011 years) - researcher;