სსიპ - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი
LEPL - FERDINAND TAVADZE METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE INSTITUTE
ნახევარგამტარული და კომპოზიციური მასალების ლაბორატორია
ელზა ხუციშვილი
მეცნიერ თანამშრომელი
elzakhutsishvili@yahoo.com

დაბადების თარიღი

19.07.1941

განათლება

  • 1958 - 1964 წწ. - ივ. ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი, ფიზიკოსი, სპეციალიზაცია-მყარი სხეული ფიზიკა, დიპლომი C №445668;

სამეც./აკად.ხარისხი (წოდება)

  • დოქტორის აკადემიური ხარისხი ფიზიკა-მათემატიკაში, დიპლომი МФМ №018376бб, 1972წ.;

სამუშაო გამოცდილება

  • საქმიანობა:ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი:
    1964 - 1966 წწ. - უფროსი ლაბორანტი;
    1967 - 1975 წწ. - უმცროსი მეცნიერ თანამშრომელი;
    1975 - 2006 წწ. - უფროსი მეცნიერ თანამშრომელი;
    2007 წ.- დღემდე - მეცნიერ თანამშრომელი;

სამეცნიერო ინტერესები

  • მყარი სხეულების ფიზიკა, ნახევარგამტარების ფიზიკა, ტექნოლოგია, მასალათმცოდნეობა და ხელსაწყოთმშენებლობა, რადიაციული ფიზიკა და ტექნოლოგია;

ნაშრომები, პუბლიკაციები

115 სამეცნიერო შრომის ავტორი. მათ შორის იმპაქტ-ფაქტორიან ჟურნალებში: ამერიკის შეერთებულ შტატებში, დიდ ბრიტანეთში, გერმანიაში, იაპონიაში, ჩეხოსლოვაკიაში, რუსეთში. ”Physica Status Solidi”, ”Solid State Communication”, ”Applied Optics”, ”Physical Review”, ”Physics and technique of semiconductors”, Journal of Electrical Engineering, American Institute of Physics (AIP);
Citations -205, h_index-8, g_index-9;

  • N. Kekelidze, G. Tavadze, E. Khutsishvili, L. Gabrichidze , G. Mikaberidze, Effective distribution coefficient of impurities in Si at pulling from MG-Si melt. Eur. Chem. Bull., vol.5, #11, 2016.
  • N. Kekelidze, E. Khutsishvili, D. Kekelidze, B. Kvirkvelia, L. Nadiradze, K. Sadradze Peculiarities of “alloy” scattering in semiconductors, vol.5, No 9, pp.380-382, 2016.
  • N.Kekelidze, , E.Khutsishvili, Z. Kvinikadze, Z.Davitaja, D.Kekelidze, B.Kvirkvelia, K. Sadradze, L. Nadiradze, G.Kekelidze. Nanosize clusters in compounds InAs and InP and their solid solutions InPxAs1–x , American Journal of Nano Research and Applications, vol.5, 2017.
  • E. Khutsishvili, N. Khutsishvili, B. Kvirkvelia, G. Kekelidze, L Nadiradze, N. Kekelidze. Electrical Properties and Crystal Perfection of the n-Type Si-rich SiGe Alloys Bulk Single-Crystals. Journal of Electrical Engineering 3 (2015) pp. 53-59. doi: 10.17265/2328-2223/2015.02.001. 2015.
  • N.Kekelidze, D.Kekelidze, E.Khutsishvili, B.Kvirkvelia, L.Nadiradze. The effect of mutual compensation of radiation donors nd acceptors in semiconductors. Proc. of the 2nd international conference: "Modern technologies and methods of inorganic materials science" April 20-24, 2015 in Tbilisi (Georgia), pp.197-201, 2015.
  • E. Khutsishvili, N.Khutsishvili, L.Gabrichidze, N.Kobulashvili, N. N. Kekelidze. Effective segregation coefficient of microimpurities in Si obtained by Czochralski pulling directly from metallurgical Si melt. Proc. of the 2nd international conference: "Modern technologies and methods of inorganic materials science" April 20-24, 2015 in Tbilisi (Georgia), pp. 254-260, 2015.
  • E.Khutsishvili, N.Khutsishvili, L.Gabrichidze, N.Kobulashvili, N. N. Kekelidze. Removal of Impurities from Metallurgical Silicon. Proc. of the International Conference on Advanced Materials and Technologies (ICAMT), 21-23 October, Tbilisi, Georgia, pp. 86-89, 2015.
  • L.Nadiradze, B.Kvirkvelia, E.Khutsishvili, D.Kekelidze, G.Kekelidze, N.Kekelidze. Investigation of Optical Absorption in III-V Compounds. International Copference Advanced Materials and Technologies. Proceedings.Dedicated to the anniversary of foundation of Ilia Vekua Sukhumi Institute of Physics and Technology. pp. 106-109. 2015.
  • N.Kekelidze, D.Kekelidze, E.Khutsishvili, B.Kvirkvelia, L.Nadiradze, I.Ambokadze, G.Kekelidze. Technology for creation of radiation hard materials. International conference Advanced Materials and Technologies. Dedicated to the anniversary of foundation of Ilia Vekua Sukhumi Institute of Physics and Technology. Proceedings. pp.68-70. 2015.
  • Квирквелия Б.В., Кекелидзе Н.П., Хуцишвили Е. B., Кекелидзе Д. Г., Надирадзе Л. Д., Амбокадзе И.Р. Получение и исследование электрических свойств фосфида индия, арсенида индия и их сплавов до и после облучения быстрыми нейтронами и электронами."Мацне" национальной академии наук, Серия Химии, ISSN - 0132 06074. 2015.
  • N. Kekelidze, E. Khutsishvili, B. Kvirkvelia, G. Kekelidze. Transport Properties of InAs-InP Solid Solutions. Journal of Electrical Engineering.Volume 2, Number 5, (Serial Number 6). pp. 207-212, doi: 10.17265/2328-2223/2014.05.002. 2014.
  • N.Kekelidze, E. Khutsishvili, B.Kvirkvelia, G.Urushadze, G.Kekelidze. Transport Properties in Solid Solutions of InP & InAs Semiconducting Compounds. Abstracts of the 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, USA, August 10-15,(2014). http://www.icps2014.org/abstracts/Posters_Narrow_Gap_Semiconductor.pdf . 2014.
  • Nodar Kekelidze, Elza Khutsishvili, Bella Kvirkvelia, Gulnara Urushadze and George Kekelidze. Current Carriers Scattering in InP-InAs Solid Solutions. Journal of Electrical Engineering JEE. David Publishing Company. Vol.2, #2, pp.86-91, 2014.
  • N.Kekelidze. D.Kekelidze. V.Aliyev, E.Khutsishvili, G.Kekelidze, B.Kvirkvelia. The Effect of Mutual Compensation of Radiation Donors and Acceptors and Creation of Radiation-resistant Materials. Abstracts of International Conference REINM -Radiation Effects in Insulators and Non-metallic Materials. Astana. Book of Abstracts. p.27, 2014.
  • N. Kekelidze, D. Kekelidze, V. Aliyev, E. Khutsishvili, G. Kekelidze, N. Khutsishvili, B. Kvirkvelia. Creation and Investigation of Radiation-hard Materials for Nuclear- Radiation Sensors. Book of Abstracts of International Conference “Tbilisi- Spring-2014”. Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensory Systems. The NATO Science for Peace and Security Programme. Publishing House "Technical University". pp.66-68. March. Tbilisi, 2014.
  • N. Kekelidze, B. Kvirkvelia, D. Kekelidze, V. Aliyev, E. Khutsishvili, G.Kekelidze. Phenomenon of Mutual Compensation of Radiation Donors and Acceptors and Creation of Radiation-Resistant Materials. Journal of Electrical Engineering, David Publishing Company. Volume 2, Number 4, pp.187-192. 2014.
  • E. Khutsishvili, L. Gabrichidze, B. Kvirkvelia, G. Urushadze, G. Kekelidze, N. Kekelidze. Electrical Properties & Crystal Perfection of the n-type Si-rich SiGe Alloys Bulk Single-Crystals. The 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, USA. http://www.icps2014.org/abstracts/Narrow_Gap_Semiconductor_I.pdf .2014.
  • ლ.გაბრიჭიძე, ე.ხუციშვილი, ნ. ქობულაშვილი, ნ. ხუციშვილი, ნ. გონჯილაშვილი, გ.ურუშაძე, ი.კუპრეიშვილი ნ. კეკელიძე. მეტალურგიული სილიციუმის ნადნობიდან ამოწევის მეთოდით რაფინირებული სილიციუმის თვისებების გამოკვლევა. საქ. მეცნიერებათა ეროვნული აკადემიის მაცნე, მაცნე, ქიმიის სერია. ტ 40, №4, გვ.351-353, 2014.
  • ე.ხუციშვილი, ნ. ხუციშვილი, ი.კუპრეიშვილი, ლ.გაბრიჭიძე, ნ. ქობულაშვილი, ნ. გონჯილაშვილი, გ. ურუშაძე, ნ. კეკელიძე. მეტალურგიული სილიციუმის ნადნობიდან ამოწეული სილიციუმის ქიმიური შემადგენლობის გამოკვლევა რენტგენოსპექტრალური ანალიზით. საქ. მეცნიერებათა ეროვნული აკადემიის მაცნე, მაცნე, ქიმიის სერია. ტ. 40, №4, გვ. 342-345, 2014.
  • ლ.გაბრიჭიძე, ე.ხუციშვილი, ნ.ქობულაშვილი, ნ. ხუციშვილი, თ.გიგიტაშვილი,
    რ.ხარატი, გ.ურუშაძე, ი.კუპრეიშვილი ნ.კეკელიძე. მინარევების მოშორება მეტალურგიული სილიციუმიდან ნადნობიდან ამოწევის მეთოდით რაფინირებული სილიციუმის თვისებების გამოკვლევა. საქ. მეცნიერებათა ეროვნული აკადემიის მაცნე, მაცნე, ქიმიის სერია. ტ 40, №1, გვ.94-100, 2014.
  • ლ.გაბრიჭიძე. ე.ხუციშვილი, ნ.ქობულაშვილი, ნ.ხუციშვილი, თ.გიგიტაშვილი, რ.ხარატი, გ.ურუშაძე, ნ.კეკელიძე. რაფინირებული სილიციუმის მასალის გადადნობის მეთოდით მიღება. მაცნე, ქიმიის სერია ტ.39, №3-4, გვ.256-259, 2013. ლ.გაბრიჭიძე, ე.ხუციშვილი, ნ.ქობულაშვილი, ნ. ხუციშვილი, თ.გიგიტაშვილი,
    რ.ხარატი, ნ.გონჯილაშვილი, გ.ურუშაძე, ნ.კეკელიძე. მეტალურგიული სილიციუმის გაწმენდა და რაფინირებული სილიციუმის თვისებების გამოკვლევა. საქართველოს ქიმიური ჟურნალი, გამომცებლობა “უნივერსალი”, 13(2), გვ.42-45, 2013.
  • N. Kekelidze, J. Khubua, G. Kekelidze, D. Kekelidze, B. Kvirkvelia, E. Khutsishvili. Radiation-resistant Semiconductor Materials for Application on Accelerators, Nuclear Reactors and in Space. Proceedings of the Seventh International Conference "Physics in the LHC era". pp. 59-70. 2013.
  • E. Khutsishvili, B. Kvirkvelia,D. Kekelidze, V. Aliyev, D. Khomasuridze, Z. Guguchia, N.Kekelidze. Carrier mobility of InAs- and InP- rich InAs-InP solid solutions irradiated by fast neutrons. American Institute of Physics (AIP) Conference proceedings Conf. Proc. 1566(1), pp.103-104 (2013); Zurich, Switzerland. http://dx.doi.org/10.1063/1.4848306  (2013).
  • N. Kekelidze, J. Khubua, G. Kekelidze, D. Kekelidze, V. Aliyev, B. Kvirkvelia, E Khutsishvili. Radiation-resistant Semiconductor Materials for Application on Accelerators, Nuclear Reactors and in Space. Abstracts.of the Seventh Intern. Conf. “Physics in the LHC era”, Tbilisi. 2013.
  • N. Kekelidze, D.Kekelidze, L.Milovanova, E.Khutsishvili,Z.Davitaya, B. Kvirkvelia, D.Khomasuridze. Electrical Properties of InP Crystals with Inhomogeneites Regions. Acta Physica Polonica A, vol.121, No.1, pp.27-29, 2012.
  • N. Kekelidze, E.Khutsishvili, LGabrichidze, D.Khomasuridze, B.Kvirkvelia, N.Kobulashvili. ”Current Carriers Scattering in Semiconductors with Various Types of Inhomogeneity”, Nano Stadies, v.4, pp.95-102. http://www.nanoarchive.org/11667/1/No_33.pdf  2011.
  • N. Kekelidze, E. Khutsishvili, D. Khomasuridze, B. Kvirkvelia. Current Carriers Scattering
    on the Neutral Impurity Atoms in Crystals of Indium Phosphide. AIP (American Institute of Physics) Conference proceedings; Vol.1400, Issue 1, p.37-42(2011); doi:10.1063/1.3663081. 2011.
  • G.Tsintsadze, M.Tsintsadze, N. Kekelidze, D.Kekelidze, L.Milovanova, E. Khutsishvili at alias Radiation Technology of Nanoclusters Obtaining in Semiconductor indium phosphide crystals. Proc. of XIX Mendeleev Congress on“ General and Applied Chemistry“, 25 — 30 September, Volgograd, Russia,p.650,2011.
  • ე.ხუციშვილი, ვ. მეტრეველი, ლ. გაბრიჭიძე, მ. ქობულაშვილი, დ.ხომასურიძე, ბ. კვირკველია, ნ. კეკელიძე.’’ InAs-ის კრისტალების სითბური გაფართოება და შინაგანი ხახუნი”, Proc. of International Scientific Conference Modern Issues of Applied Physics, 30 March, 2011, Tbilisi..
  • N. Kekelidze, E. Khutsishvili, D. Khomasuridze, B. Kvirkvelia. Current Carriers Scattering
    on the Neutral Impurity Atoms in Crystals of Indium Phosphide. Advances in Applied Physics and Materials Science Congress. Book of Abstracts. Antalya, Turkey 2011.
  • N. Kekelidze, D.Kekelidze, L.Milovanova, E.Khutsishvili at alias. Electrical Properties of InP Crystals with Inhomogeneites Regions. Advances in Applied Physics and Materials Science Congress. Book of Abstracts. Antalya, Turkey. 2011.
  • დ. ხომასურიძე, ნ. კეკელიძე, დ. კეკელიძე, ლ. მილოვანოვა ე. ხუციშვილი, ზ. დავითაია, ბ. კვირკველია.” წუნდებული InP კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესება რადიაციული ტექნოლოგიის მეშვეობით”. Proc. of International Scientific Conference Modern Issues of Applied Physics, 30 March,2011, Tbilisi,გვ. 278-281, 2011.

  • Carbon in SiGe Alloys Bulk Crystals. New Developments in Materials Science”-Nova Science Publishers-Coeditor, USA, 2010.

  • Investigation of Technological Process of Magnesium Silicide Producing by Magnesium Thermal Restoration of Low-grade Quartzite. “New Developments in Materials Science”-Nova Science Publishers-Coeditor, USA, 2010.

  • ნანონაწილაკების წარმოქმნა InP–ს კრისტალებში მათი ჩქარი ნეიტრონების დიდი ნაკადით დასხივების შედეგად. ნანოქიმია-ნანოტექნოლოგიები. პირველი საერთაშორისო კონფერენციის მასალები, გამომცემლობა “უნივერსალი”. თბილისი, 2010.

  • Crystal Perfection of Si-rich SiGe Alloys Bulk Single Crystals. Georgian Electronic Scientific Journal:Physics, #2(2), pp39-43, 2010.

  • Application of High Temperature Superconductos in the Space. Proc.of “Perspective materials, devices and structures for space applications” Workshop, pp. 69-70, 2009, 26-28 May, Yerevan, Armenia.

  • Сurrent Carrier Mobility inSi1-хGeх Crystals. Inorganic Materials,vol.45, №6, pp.599-601, 2009© Pleiades Publishing.

  • Подвижность носителей тока в кристаллах Si1-хGeх. Неорганические материалы, том 45, №6, с.655-658, 2009.

  • Распределение кислорода в кристаллах сплавов SiGe. Cб. докл.Х1 Межгос.семинара РАН «Термоэлектрики и их применения», г.С-Петербург, cтр. 285-287, 2009.

  • Структурное совершенство и электрические свойства объёмных монокристаллов сплавов SiGe. Cб. докл.Х1 Межгос.семинара РАН «Термоэлектрики и их применения», г.С-Петербур, стр.288-292, 2009.

  • Микротвердость сплавов SiGe, легированных As и B. Cб. докл. Х Межгос.семинара РАН «Термоэлектрики и их применения», г.С-Петербург, 2007.

  • Рассеяние носителей заряда на атомах примесей Sn в поликристаллических сплавах системы SiGe.Неорганические материалы т.42, №4, стр.398-400, 2006.

  • Physical-Mechanical properties of Si0.85Ge0.15 Alloys. Bull. of the Georgian Acad. of Sci., v.172, №1, pp.84-87, 2005.

  • High-Temperature Annealing Effects on the Thermoelectrical Properties Microstructure and Microhardness of Complexly Doped Si0.83Ge0.17 Alloys. Bulletin of the Georgian Academy of Sciences, 171, №3, 2005, pp. 482-485.

  • Preparation of High Effective Thermoelectrical Materials Based on Si Ge Alloys. Second International Conference on Inorganic Materials University of California Santa Barbara, USA, Di, 2000.

  • Scattering of Current Carriers upon the Atoms of Tin Dopant in Si Ge Alloys. Second International Conference on Inorganic Materials University of California Santa Barbara, USA, p.19, 2000

  • Behaviour of Arsenic in Si Ge Alloys at High Temperatures. Second International Conference on Inorganic Materials University of California Santa Barbara, USA, p.18, 2000.

  • Исследование термообработанных сплавов Si-Ge. Термоэлектрики и их применения. Доклады VII межгосударственного семинара. РАН ФТИ им.А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург, стр.182-185, 2000.

  • Омический контакт к твердым растворам системы Si1-X GeX. Термоэлектрики и их применения. Доклады VI межгосударственного семинара РАН ФТИ им. А.Ф.Иоффе, г.Санкт-Петербург, стр.121-122, 1999..

  • Thermal Expansion Coefficient of Gallium Arsenide at High Temperatures. Bulletin of the Georgian Academy of Sciences v.154, № 1, pp.65-66, 1996.

  • Microstructure and Microhardness of Gallium Arsenide. Bulletin of the Georgian Academy of Sciences v.154, №3, pp.366-367, 1996.

  • Infrared Refractive Index of Germanium- Silicon Alloy Crystals. Applied Optics v.31, №1, р.90-93, 1992.

  • Vibriational Modes in Germanium rich SiX Ge1-X Alloys. Solid State Communications v.76, №3, p.243-246, 1990.

  • Влияние окисления на электрические свойства сплавов германий—кремний. Сообщения АН ГССР, т.137, №1, стр.57-60, 1990.

  • Тензометрические свойства объемных кристаллов твердых растворов германий-кремний. Сб. "Исследование и применение твердых растворов германий-кремний", Баку, ЭЛМ, стр.45-49, 1990.

  • Влияние окисления на теплопроводность приповерхностных слоев Si и твердых растворов Si-Ge. Сб."Исследование и применение твердых растворов германий-кремний", Баку, ЭЛМ, стр.42-44, 1990.

  • Исследование электрофизических свойств монокристаллов разбавленных твердых растворов германий-кремний. Материалы докладов VII координационного совещание по исследованию и применению твердых растворов германий-кремний, Баку, 1988.

  • Коррозионная стойкость кремния, германия и сплавов на их основе. Материалы докладов VII координационного совещания по исследованию и применению твердых растворов германий-кремний, Баку, октябрь, 1988.

  • Влияние окисления на теплофизические свойства поверхностных слоев кремния и твердых растворов кремний-германий. Материалы докладов VII координационного совещания по исследованию и применению твердых растворов германий-кремний, Баку, октябрь, 1988.

  • Механические и тензометрические свойства объемных кристаллов твердых растворов германий-кремний. Материалы докладов VII координационного совещания по исследованию и применению твердых растворов германий-кремний, Баку, октябрь, 1988.

  • Подвижность носителей тока в легированных сплавах германий-кремний. Сообщения АН ГССР, т. 131, №2, стр.293-296, 1988.

  • Electrical Properties of Ge Si Alloy Svstem. Scripta Fac.Sci.Nat.Univ.Purk. Brun.CSSR. vol. 16, №5-6, pp.265-290, 1986.

  • Temperature Dependence of the Optical Spectra of Si, Ge and Ge Si Alloys. Physical Review В, v.33, №2, 1986.

  • Line Shape Analyses of Thermoreflectance Spectra of Ge Si Alloys. Scripta Fac.Sci.Nat.Univ.Purk. Brun.CSSR. vol. 16, №5-6, pp.253-264, 1986.

  • Electroreflectance of Pure and Doped Ge-Si Alloys. Scripta Fac.Sci.Nat.Univ.Purk. Brun.CSSR vol.16, №5-6, рр.219-251, 1986.

  • Temperature Dependence of the Optical Spectra of Si, Ge and Ge Si Alloys. Physical Review В, v.33, №2, 1986.

  • The Change of Optical Spectra of Si, Ge and Ge-Si Alloy between room and liquid nitrogen Temperature.Proc. of 8 konferencia Ceskoslovenskych fizikov, Bratislawa, 1985.

  • Соотношение между механизмами рассеяния носителей тока в легированных сплавах германий-кремний. Материалы докладов VI респ. научно-техн.конференции молодых ученых. Изд.Мецниереба, г.Тбилиси, 1985 г.

  • Твёрдые растворы полупроводниковой системы гермaний -кремний, მონოგრაფია.გამოცემა მეცნიერება,თბილისი, 1985.

  • Disorder Broadening of E2 Optical Spectra in Ge-Si Alloys. Solid State Communications, v.47, №5, pp.387-389, 1983.

  • Оптическое исследование углерода в твердых растворах кремний-германий. Тезисы пятой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва, 1982.

  • Polycrystallinity Effect on the Electrical Properties of Doped Germanium. Phys. Stat. Sol.(a)v. 61, pp.K 1-K 3, 1980.

  • ცნობარი “Solid Solutions in Semiconducting Systems“ Справочник Изд. Наука, Москва, 1978 г.

  • ცნობარი “Solid Solutions in Semiconducting Systems“იაპონია ,1979. გამოცემული რუსეთში და იაპინიაში თანაავტორი;

  • Determination of the Composition of Ge Si Alloy by Ellipsometry. Phys.Stat.Sol.(a) v. 53, pp 321-325, 1979.

  • Влияние поликристалличности структуры на свойства легированного германия. Третья Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Тезисы докладов, г. Москва, 1975.

  • Исследование влияния малых до¬бавок кремния на спектр отраже¬ния германия. Сб. “Вопросы металловедения и корозии металлов”, Изд. Мецниереба, г. Тбилиси, 1974.

  • Некоторые физические свойства легированных оловом сплавов кремний-германий. Сб."Химическая связь в крис¬таллах полупроводников и полуметаллов", Изд.Наука и техника, г.Минск, 1973.

  • Электропроводность и термо-э.д.с.сложнолегированных сплавов кремний-германий. Сб."Вопросы металловеде¬ния и коррозии металлов" Изд. Мецниереба, г.Тбилиси, 1972 .

  • Эффективная масса и время релаксации электронов в твердых растворах Si 0.85 Ge 0.1.5. Физика твердого тела, №6, 1971.

  • Подвижность электронов в сильно легированных твердых растворах Si-Ge. Физика и техника полупроводников, №5, стр.970-971, 1971.

  • Исследование эффекта Холла в сильно легированном сплаве Si-Ge n-типа при высоких температурах. Сб. “Исследование материалов для новой техники”, Изд. Мецниереба, г.Тбилиси, 1971.

  • Термо-э.д.с. и подвижность носителей тока в компенсированных сплавах Si-Ge. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, №5, 1970.

  • Об эффективной массе плотности состояний электронов в сильно легированном сплаве Ge-Si. Сообщения АН ГССР, №3, 1969.

  • Исследование микротвердости сплавов системы германий-кремний. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, №7, 1967.

გამოგონებები (საავტორო მოწმობები, პატენტები)

  • ხისტი დასხივებისადმი რადიაციულად მედეგი ნახევარგამტარი ელექტრული მასალის შექმნა. საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი ,,საქპატენტი“ . #14141/01, 2016-05-11;

  • ბინარული ნახევარგამტარი ნაერთების რადიაციულად მედეგი InAs-GaAs –ის მყარი ხსნარების მოცულობითი კრისტალების მიღების მეთოდი პირდაპირი შედნობით. საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი ,,საქპატენტი“. #14142/01, 2016-05-11;

  • ინდიუმის ფოსფიდის (InP) კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესების ხერხი .საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი ,,საქპატენტი“. #14143/01, 2016-05-11;

სამეცნიერო სიმპოზიუმებში, კონფერენციებში მონაწილეობა

54 საერთაშორისო კონფერენციაში, მათ  შორის:

  • Effective distribution coefficient of impurities in Si at pulling from mg-Si melt. 4th International Conference “Nanotechnologies” Nano – 2016,October 24 – 27, 2016, Tbilisi, Georgia; 
  • Peculiarities of “alloy” scattering in semiconductors. 4th International Conference “Nanotechnologies” Nano – 2016,October 24 – 27, 2016, Tbilisi, Georgia; 
  • Nanosize clusters in InAs, InP compounds and their solid solutions InPx,As1-x.. 4th International Conference “Nanotechnologies” Nano – 2016,October 24 – 27, 2016, Tbilisi, Georgia; 
  • Investigation of some Optical Properties of Functional for Photonics Semiconductor Compounds with Nanosize Clusters. FNM 2016 The International Workshop on Functional and Nanostructured Materials to be held in Tbilisi, Georgia 6th -10th September 2016;
  • Influence of Nanosize Clusters on the Optical Absorption near the Fundamental Egde in Indium Arsenide Crystals. FNM 2016 The International Workshop on Functional and Nanostructured Materials to be held in Tbilisi, Georgia 6th -10th September 2016;
  • Current Carriers Scattering on Nanosize Clusters in III–V Semiconductor Material. FNM 2016 The International Workshop on Functional and Nanostructured Materials to be held in Tbilisi, Georgia 6th -10th September 2016;
  • The effect of mutual compensatin of radiation donors and acceptors in semiconductors. The 2nd International Conference "Modern Technologies and Methods of Inorganic Materials Science", April 20-24, 2015 in Tbilisi (Georgia) 2015;
  • Effective segregation coefficient of microimpurities in Si obtained by Czochralski pulling directly from metallurgical Si melt. The 2nd International Conference "Modern Technologies and Methods of Inorganic Materials Science" April 20-24, 2015 in Tbilisi (Georgia) 2015;
  • Removal of Impurities from Metallurgical Silicon. The International Conference on “Advanced Materials and Technologies” (ICAMT), 21-23 October, Tbilisi (Georgia) 2015;
  • Исследование ортического поглощения в соединениях III-V. The International Conference on “Advanced Materials and Technologies “(ICAMT), 21-23 October, Tbilisi, (Georgia) 2015; 
  • Технология создания радиационно-стойких материалов. The International Conference on “Advanced Materials and Technologies” (ICAMT), 21-23 October, Tbilisi, (Georgia) 2015;
  • Electrical Properties and Crystal Perfection of the n- type Si-rich SiGe Alloys Bulk Single Crystals. The 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, August 10-15, (USA)2014; 
  • Transport Properties in Solid Solutions of InP and InAs Semiconducting Compounds. The 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, August 10-15, (USA)2014;
  • The Effect of Mutual Compensation of Radiation Donors and Acceptors and Creation of Radiation-resistant Materials.International Conference: Radiation Effects in Insulators and Nonmetallic Materials. REINM 2014. Astana (Kazakhstan) 2014;
  • Radiation- resistant materials for manufacturing photo elements functioning in Space. The International School on Naniphotonics and Phtovoltaics,August 28-September3,(2014),Tbilisi, (Georgia)2014;
  • Creation and Investigation of Radiation-hard Materials for Nuclear- Radiation Sensors. The NATO Science for Peace and Security Programme Nuclear- Radiation Nano Sensors Conference, March. Tbilisi, (Georgia)2014;
  • Carrier mobility of InAs- and InP- rich InAs-InP solid solutions irradiated by fast neutrons. The 31st International Conference on the Physics of Semiconductor,s July 29th – August 3rd 2012, Zurich, Switzerland (ICPS 2012) 2012;
  • Electrical Properties of InP Crystals with Inhomogeneites Regions. Congress the Advances in
    Applied Physics and Materials Science. 12 -15 May Antalya, Turkey 2011;
  • Current Carriers Scattering on the Neutral Impurity Atoms in Crystals of Indium Phosphide. . Congress the Advances in Applied Physics and Materials Science. 12 -15 May Antalya, Turkey 2011;
  • წუნდებული InP კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესება რადიაციული ტექნოლოგიის მეშვეობით. International Scientific Conference Modern Issues of Applied Physics, 30 March,2011, Tbilisi;
  • InAs-ის კრისტალების სითბური გაფართოება და შინაგანი ხახუნი,. International Scientific Conference Modern Issues of Applied Physics, 30 March,2011, Tbilisi.;
  • Carbon in SiGe Alloys Bulk Crystals. Intern. Conf. “Material Science Days”,8-10 July.Tbilisi. 2009;
  • Investigation of Technological Process of Magnesium Silicide Producing by Magnesium Thermal Restoration of Low-grade Quartzite. Intern. Conf. “Material Science Days”,8-10 July.Tbilisi. 2009;
    24. Radiation-Resistant Semiconductor Materials and Devices for Application in Cosmos and Atomic Power Stations. Intern. Conf. “Material Science Days”,8-10 July.Tbilisi. 2009;

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა

  • STCU GG-87 ერთობლივი პროექტი უკრაინის დნეპროპეტროვსკის საპროექტო ინსტიტუტთან (“პივდენე”) “Si-Ge -ის სისტემის მაღალეფექტური შენადნობების მიღება”, 2005-2007;
  • The Embassy of Switzerland in Tbilisi, the project “Ecological education for school-children and environment monitoring”, 2010-2011;

ჯილდოები და პრემიები, საპატიო წოდებები

  • 1991 - ბრნოს უნივერსიტეტის ვერცხლის მედალი, ბრნოს უნივერსიტეტის მყარი სხეულის ფიზიკის კათედრასთან წარმატებული თანამშრომლობისთვის;

დამატებითი ინფორმაცია

  • ნ.კეკელიძის, ნ.შამუგიას წიგნის „ელექტრონების ძვრადობის დაბალტემპერატურული ანომალია კომპენსირებული გერმანიუმის და სილიციუმის მონოკრისტალებში“  რედაქტორი, გამომცემლობა „უნივერსალი“, თბილისი, 2006;