სსიპ - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი
LEPL - FERDINAND TAVADZE METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE INSTITUTE
№ 6 ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორია
თენგიზ ქამუშაძე
უფროსი მეცნიერ თანამშრომელი
t.qamushadze@gmail.com

დაბადების თარიღი

10.01.1949

განათლება

  • 1966 - 1971 წწ. - თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი, ფიზიკის ფაკულტეტი;
  • 1971 - 1974 წწ. - თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ფიზიკის ფაკულტეტის ასპირანტურა;

სამეც./აკად.ხარისხი (წოდება)

  • უფროსი მეცნიერ თანამშრომლის სამეცნიერო  წოდება, ფიზ.-მათ  მეცნიერებათა დოქტორი;

სამუშაო გამოცდილება

  • 1970 წ. - დღემდე - ივ.ჯავახიშვილის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი;
  • 2015 წ. - დღემდე - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი;

სახელშეკრულებო სამუშაოები

  • 4 საერთაშორისო და ეროვნული საგრანტო პროექტების ხელმძღვანელი ან მონაწილე;

სამეცნიერო ინტერესები

  • ნახევარგამტარებისა და დიელექტრიკების ფიზიკა;

ნაშრომები, პუბლიკაციები

59 სამეცნიერო შრომის ავტორი, მათ შორის:

  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Руденко. “Теоретический расчёт ВАУ p-n-i-n+ структуры с учётом разогрева носителей заряда в электрическом поле”, Электронная техника, серия 3, Микроэлектроника, вып. 6.901, 1980;
  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Руденко, А.А.Шлёнский. “Исследования ВАХ p-n-i-n+ структуры на основе полуизолирующего GaAs:Cr, O” Электронная техника, серия 3. Микроэлектроника, вып.1/91/1981;
  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Шлёнский. “ p-n-i-n+ структура на основе полиизолирующего арсенида галлия как приемник излучения в инфракрасной и видимой области спектра“. ЖТФ, т.52, вып. 1, 1982.
  • И.А.Мирцхулава, А.А.Мирцхулава, Т.Д.Камушадзе, Д.П.Мгалоблишвили «О возможности получения GaAs с максимальной степенью компенсации». Военная техника и экономика. №7. 1977.
  • С.П.Ашмонтас, Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михаилов, Э.М.Омельяновский, Л.Е.Субачюс, Эвремя жизни носителей заряда в полуизолируюшем GaAs:Cr,O”. ФТПб т.15. вып.12, 1981;
  • М.М.Соболев, П.Н.Брунков, С.Г.Конников, М.Н.Степанова, В.Г.Никитин, И.П.Улин, А.Ш.Долбая, Т.Д.Камушадзе, Р.М.Майсурадзе. «Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенного из раствора-расплава в Ga-Bi”. ФТП, вып. 6, т.23, 1989;

გამოგონებები (საავტორო მოწმობები, პატენტები)

  • 2 საავტორო მოწმობა (№1015792 და 1193723) და ერთი პატენტი (U 1371);

სამეცნიერო სიმპოზიუმებში, კონფერენციებში მონაწილეობა

  • მონაწილეობას ვიღებდი ტომსკის, იურმალას, კალუგას, ლიტვის, თბილისის საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენციების მუშაობაში;

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა

  • საქართველოს მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების დეპარტამენტის მიერ დაფინანსებული ორი საგრანტო პროექტის ხელმძღვანელი;
  • „მაღალი მგრძნობიარობის სწრაფმოქმედი ფოტომიმღებებისა და ტირიწსტორების შექმნა“ (1997-1998 წწ);
  • „GaAs -ის და AlxGa1-xAs-ის მრავალფენიანი ეპიტაქსიური სტრუქტურების გარდამავალ სასაზღვრო ფენებში მინარევებისა და დეფექტების განაწილების შესწავლა“ (1998-19999 წწ);
  • STCU-ს საგრანტო პროექტი № 3641 „დიელექტრიკული მდგომარეობის შექმნა IV-VI ვიწროზონიან ნახევარგამტარებში“ - მკვლევარი;
  • GNSF -ის საგრანტო პროექტი „მინარევების ახალი როლი IV- VI ნახევარგამტარებში ინფრაწითელი ლაზერების მახასიათებლების გასაუმჯობესებლად“ (2008-2011 წწ) - მკვლევარი;