სსიპ - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი
LEPL - FERDINAND TAVADZE METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE INSTITUTE
ნახევარგამტარული და კომპოზიციური მასალების ლაბორატორია
თენგიზ ქამუშაძე
ლაბორატორიის უფროსი - მთავარი მეცნიერ თანამშრომელი
t.qamushadze@gmail.com

დაბადების თარიღი

10.01.1949

განათლება

  • 1966 - 1971 წწ. - თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი, ფიზიკის ფაკულტეტი;
  • 1971 - 1974 წწ. - თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ფიზიკის ფაკულტეტის ასპირანტურა;

სამეც./აკად.ხარისხი (წოდება)

  • უფროსი მეცნიერ თანამშრომლის სამეცნიერო  წოდება, ფიზ.-მათ  მეცნიერებათა დოქტორი;

სამუშაო გამოცდილება

  • 1970 წ. - დღემდე - ივ.ჯავახიშვილის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი;
  • 2015 წ. - დღემდე - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი;

სახელშეკრულებო სამუშაოები

  • 4 საერთაშორისო და ეროვნული საგრანტო პროექტების ხელმძღვანელი ან მონაწილე;

სამეცნიერო ინტერესები

  • ნახევარგამტარებისა და დიელექტრიკების ფიზიკა;

ნაშრომები, პუბლიკაციები

59 სამეცნიერო შრომის ავტორი, მათ შორის:

  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Руденко. “Теоретический расчёт ВАУ p-n-i-n+ структуры с учётом разогрева носителей заряда в электрическом поле”, Электронная техника, серия 3, Микроэлектроника, вып. 6.901, 1980;
  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Руденко, А.А.Шлёнский. “Исследования ВАХ p-n-i-n+ структуры на основе полуизолирующего GaAs:Cr, O” Электронная техника, серия 3. Микроэлектроника, вып.1/91/1981;
  • Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михайлов, Э.М.Омельяновский, А.А.Шлёнский. “ p-n-i-n+ структура на основе полиизолирующего арсенида галлия как приемник излучения в инфракрасной и видимой области спектра“. ЖТФ, т.52, вып. 1, 1982.
  • И.А.Мирцхулава, А.А.Мирцхулава, Т.Д.Камушадзе, Д.П.Мгалоблишвили «О возможности получения GaAs с максимальной степенью компенсации». Военная техника и экономика. №7. 1977.
  • С.П.Ашмонтас, Т.Д.Камушадзе, Г.Б.Михаилов, Э.М.Омельяновский, Л.Е.Субачюс, Эвремя жизни носителей заряда в полуизолируюшем GaAs:Cr,O”. ФТПб т.15. вып.12, 1981;
  • М.М.Соболев, П.Н.Брунков, С.Г.Конников, М.Н.Степанова, В.Г.Никитин, И.П.Улин, А.Ш.Долбая, Т.Д.Камушадзе, Р.М.Майсурадзе. «Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенного из раствора-расплава в Ga-Bi”. ФТП, вып. 6, т.23, 1989;
  • Qamushadze Tengiz, Svanidze Korneli, Khutsishvili Elza, Kobulashvili Nana, Theoretical Backgrounds of an Innovative Approach to Grow Thin Films: General Considerations, Trans Tech Publications Ltd., 2025.
  • Qamushadze Tengiz, Svanidze Korneli, Kurdadze Gocha, KhutsishvilI Elza, Kobulashvili Nana, Chumbadze Marina, Producing Silicon from Shoda-Kedela (Georgia) Quartz Deposition, Tech Publications Ltd.,Switzerland.2025.
  • Tengiz Qamushadze, Elza Khutsishvili, Nana Kobulashvili, Maguli Darchiashvili „Development of graphene production technology საქართველოს მეცნიერებათა ეროვნული აკადემიის გამოცემა„მაცნე“ქიმიის სერია , ტომი 44, 2025 
  • Tengiz Qamushadze, Elza Khutsishvili, Nana Kobulashvili „Development of Graphene Production Technology“,the 7th International Conference “Nanotechnology”, October 7 – 11, 2024, Tbilisi, Georgia (GTU nano 2024).
  • Tengiz Qamushadze, Korneli Svanidze, Elza Khutsishvili, Nana Kobulashvili „ New Possibilities for Obtaining Thin Films“.the 7th International Conference “Nanotechnology”, October 7 – 11, 2024, Tbilisi, Georgia (GTU nano 2024).
  • Tengiz Qamushadze, Elza Khutsishvili, , Archil Benashvili, Nana Kobulashvili „ Chemical and Thermal Stability of InAs, InP and Their Alloys“;the 7th International Conference “Nanotechnology”, October 7 – 11, 2024, Tbilisi, Georgia (GTU nano 2024).
  • Tengiz Qamushadze, Korneli Svanidze, Gocha Kurdadze, Elza Khutsishvili, Nana Kobulashvili, Marina Chumbadze  „Producing Silicon from Local Quartz Mineral Deposition“.the 7th International Conference “Nanotechnology”, October 7 – 11, 2024, Tbilisi, Georgia (GTU nano 2024).
  • Khutsishvili, N. Kekelidze, T. Qamushadze, Z. Chubinishvili, N. Kobulashvili, and G. Kekelidze. InPAs Alloys Use for Electrical Engineering in Hard-radiation Environment, European Journal of Engineering and Technology Research, 6, pp. 31-35, 2021

გამოგონებები (საავტორო მოწმობები, პატენტები)

  • 2 საავტორო მოწმობა (№1015792 და 1193723) და ერთი პატენტი (U 1371);

სამეცნიერო სიმპოზიუმებში, კონფერენციებში მონაწილეობა

  • მონაწილეობას ვიღებდი ტომსკის, იურმალას, კალუგას, ლიტვის, თბილისის საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენციების მუშაობაში;

  • Tengiz Qamushadze, Elza Khutsishvili, Nana Kobulashvili „Development of Graphene Production Technology“,the 7th International Conference “Nanotechnology”, October 7 – 11, 2024, Tbilisi, Georgia (GTU nano 2024).


  • Tengiz Qamushadze, Korneli Svanidze, Elza Khutsishvili, Nana Kobulashvili „ New Possibilities for Obtaining Thin Films“.the 7th International Conference “Nanotechnology”, October 7 – 11, 2024, Tbilisi, Georgia (GTU nano 2024).


  • Tengiz Qamushadze, Elza Khutsishvili, , Archil Benashvili, Nana Kobulashvili „ Chemical and Thermal Stability of InAs, InP and Their Alloys“;the 7th International Conference “Nanotechnology”, October 7 – 11, 2024, Tbilisi, Georgia (GTU nano 2024).


  • Tengiz Qamushadze, Korneli Svanidze, Gocha Kurdadze, Elza Khutsishvili, Nana Kobulashvili, Marina Chumbadze  „Producing Silicon from Local Quartz Mineral Deposition“.the 7th International Conference “Nanotechnology”, October 7 – 11, 2024, Tbilisi, Georgia (GTU nano 2024).


  • მე 4-ე საერთაშორისო კონფერენცია "არაორგანული მასალების მასალათმცოდნეობის თანამედროვე ტექნოლოგოები და მეთოდები. მოუწესრიგებლობანი InPxAs1–x მყარ ხსნარებში, თბილისი, საქართველო 2021.


  • მეექვსე საერთაშორისო კონფერენცია „ნანოტექნოლოგიები“InGaAs-ის შენადნობების გამოყენება თერმოელექტრონიკაში, სტუ, თბილისი, საქართველო 2021

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა

  • საქართველოს მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების დეპარტამენტის მიერ დაფინანსებული ორი საგრანტო პროექტის ხელმძღვანელი;
  • „მაღალი მგრძნობიარობის სწრაფმოქმედი ფოტომიმღებებისა და ტირიწსტორების შექმნა“ (1997-1998 წწ);
  • „GaAs -ის და AlxGa1-xAs-ის მრავალფენიანი ეპიტაქსიური სტრუქტურების გარდამავალ სასაზღვრო ფენებში მინარევებისა და დეფექტების განაწილების შესწავლა“ (1998-19999 წწ);
  • STCU-ს საგრანტო პროექტი № 3641 „დიელექტრიკული მდგომარეობის შექმნა IV-VI ვიწროზონიან ნახევარგამტარებში“ - მკვლევარი;
  • GNSF -ის საგრანტო პროექტი „მინარევების ახალი როლი IV- VI ნახევარგამტარებში ინფრაწითელი ლაზერების მახასიათებლების გასაუმჯობესებლად“ (2008-2011 წწ) - მკვლევარი;

  • შოთა რუსთაველის საქართველოს ეროვნული სამეცნიერო ფონდის ფუნდამენტური კვლევვების გრანტის პროექტი (FR-24-298) “თერმული დამუშავების გავლენის შესწავლა ხისტად დასხივებული InP-ის, InAs-ის და InAs-InP შენადნობების სტრუქტურულ, ელექტრულ და ოპტიკურ თვისებებზე“.


  • საგამომცემლო სახელმწიფო  სამეცნიერო გრანტი  N SP-22-316  “სილიციუმი მთის ქანებიდან ელექტრონიკამდე“. 30.11.2022-30.05.2023.


  • საგამომცემლო სახელმწიფო სამეცნიერო გრანტი SP-21-149 „InAs-InP ნახევარგამტარული შენადნობები“.23.07.2021-23.01.2022.