უაკ 621.383.51; 53;537.9

მონოგრაფია ეძღვნება ნახევარგამტარულ ელექტრონიკაში და ლაზერულ ტექნოლოგიაში ფართოდ გამოყენებად InAs-InP შენადნობების ფიზიკურ-ქიმიური და ფიზიკური თვისებების და მათი გამოყენების დაწვრილებით აღწერას ბოლო პერიოდის ჩართვით. მონოგრაფიაში გამოკვეთილია ხისტი დასხივების გავლენა InAs-InP შენადნობების თვისებებზე. ნაშრომი შედეგია იმ მრავალწლიანი მეცნიერული კვლევისა, რომელიც აკადემიკოს ნოდარ კეკელიძის ხელმძღვანელობით ჩატარდა სრული კომპლექსური სახით, დაწყებული მასალის მიღებიდან მის მრავალმხრივ შესწავლამდე და გამოყენებამდე. სრული წარმოდგენის მისაღებად მოყვანილია აგრეთვე მსოფლიოს მრავალი ქვეყნის მეცნიერის მიერ განხორციელებული InAs-InP შენადნობების კვლევების შედეგები. წარმოდგენილი მონოგრაფია გათვლილია ფიზიკოსების, ქიმიკოსების, ინჟინრებისა და დოქტორანტებისთვის, რომლებიც მუშაობენ ნახევარგამტარული მასალებისა და კონდენსირებული სისტემების კვლევის მიმართულებით.

სამეცნიერო ნაშრომის „InAs-InP ნახევარგამტარული შენადნობები“-ს მონოგრაფიის გამოქვეყნება განხორციელდა საგრანტო პროექტის ფარგლებში „შოთა რუსთაველის საქართველოს ეროვნული სამეცნიერო ფონდის ფინანსური მხარდაჭერით (გრანტი ნომერი SP-21-149“, პროექტის სახელწოდება „InAs-InP ნახევარგამტარული შენადნობები“).

© ნოდარ კეკელიძე, ელზა ხუციშვილი, გიორგი კეკელიძე, თენგიზ ქამუშაძე,  2022

გამომცემლობა „ნეკერი“, 2022

ISBN 978-9941-501-06-7