დაბადების თარიღი

01.08 1957

განათლება

• 1974 - 1979 წწ. - ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი. ქიმიის ფაკულტეტი. ქიმიური კინეტიკის სპეციალობა (მაგისტრთან გათანაბრებული);

სამუშაო გამოცდილება

• სსიპ ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი:
  1881 - 1982 წწ. - ლაბორანტი, ფხვნილთა მეტალურგიის ლაბორატორია;
  1982 - 1985 წწ. - უმცროსი მეცნიერ მუშაკი, ფხვნილთა მეტალურგიის ლაბორატორია;
  1985 - 2010 წწ. - უმცროსი მეცნიერ მუშაკი, თვითგავრცელებადი მაღალი ტემპერატურის ლაბორატორია;
  2010 - 2016 წწ. - ინჟინერი, თვითგავრცელებადი მაღალი ტემპერატურის ლაბორატორია;

სამეცნიერო-კვლევითი სამუშაოები

• 2013- 2014წწ. - თმს - მეტალურგიით სხმული სალი შენადნობების და მისგან ნაკეთობების მიღება; შემსრულებელი; ფ.თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი;
• 2015-2016წწ - Ti-B-C-N სისტემის კერამიკული მასალების ფუძეზე გრადიენტული საჯავშნე ელმენტების მიღების ტექნოლოგიების შემუშავება; შემსრულებელი; ფ.თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი;
• 2017-2018წწ. - ტიტან-ქრომის კარბიდების ფუძეზე თმს კომპაქტირებით საჯავშნე ლითონკერამიკული გრადიენტული მასალების მიღების ტექნოლოგიების შემუშავება; შემსრულებელი; ფ.თავაძის მეტალურგიისა და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი;

სამეცნიერო ინტერესები

• არსებული დანადგარებისა და მოწყობილობების ბაზაზე თვითგავრცელებადი მაღალტემპერატურული სინთეზით მასალების მიღების ტექნოლოგიური პარამეტრების დადგენა;
• თმს კონსტრუქციების ნახაზების დახაზვა პროგრამა Auto-Cad–ის პროგრამით 3D და 2D ფორმატში;
• Auto-Cad–ის პროგრამით ინსტიტუტის სხვა ლაბორატორიებისათვის სამუშაოების შესრულება;
• Excel–ის პროგრამით გრაფიკების, დიაგრამების და სხვა ტიპის ნახაზების შესრულება;

ნაშრომები, პუბლიკაციები

• ლ.გაბრიჭიძე, ე. ხუციშვილი, ნ. ქობულაშვილი, ნ. ხუციშვილი, ნ.გონჯილაშვილი, გ. ურუშაძე, ი.კუპრეიშვილი, ნ. კეკელიძე . მეტალურგიული სილიციუმის ნადნობიდან ამოწევის მეთოდით რაფინირებული სილიციუმის თვისებების გამოკვლევა ქიმიის სერია, ტომი 40 #4 2014 წელი გვ. 351-354;
• მეტალურგიული სილიციუმის ნადნობიდან ამოწეული სილიციუმის ქიმიური შემადგენლობის გამოკვლევა რენტგენოსპექტრული ანალიზით. ნ. კეკელიძე , ე. ხუციშვილი, ი. კუპრეიშვილი ნ. ქობულაშვილი, ნ. ხუციშვილი, ლ.გაბრიჭიძე, ნ.გონჯილაშვილი, გ. ურუშაძე, ი.კუპრეიშვილი;
• მეტალურგიული სილიციუმის გაწმენდა და რაფინირებული სილიციუმის თვისებების გამოკვლევა. ლ.გაბრიჭიძე, ე. ხუციშვილი, ნ. ქობულაშვილი, ნ.ხუციშვილი, თ. გოგიტაშვილი რ. ხარატი ნ.გონჯილაშვილი, გ. ურუშაძე, ი.კუპრეიშვილი,ნ. კეკელიძე . საქართველოს ქიმიური ჟურნალი ტ.13 #2 2013 წ.;
• რაფინირებული სილიციუმის მასალის გადადნობის მეთოდით მიღება ლ.გაბრიჭიძე, ე. ხუციშვილი, ნ. ქობულაშვილი, ნ. ხუციშვილი, თ. გოგიტაშვილი, რ. ხარატი, ნ.გონჯილაშვილი, გ. ურუშაძე, ი.კუპრეიშვილი,ნ. კეკელიძე . ტომი 39 #3-4 2013 წ. გვ 257;
• Synthesis of nanocrystalline materials in TI-Al System Nuclear radiation nanosensors and nanosensory systems. pp. 86-88. Tbilisi, 2014;
• Impact resistant ceramic composites by SHS metod. xii international symposium on explosive production of new G Urushadze Modern Technologies and Methods of Inorganic Materials Science,Cracow, 2014, pp. 136;
• Current carriers scattering in InP-InAs solid solutions. G Urushadze, Nodar Kekelidze, Elza Khutsishvili Journal of Electrical Engineering JEE.Davis Publishing Company. ISSN 2328-2223. Vol.2, #2,pp.86-91. 2014. Abstracts of the 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, USA, August 10-15, (2014);
• Transport properties in solid solutions of InP and InAs semiconducting compounds Abstracts of the 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, USA, August 10-15, (2014);
• Научные и прикладные эксперименты по получению методом СВС – металлургии новых материалов и изделии из них Гарегин Захаров, З. асламазашвили Г.Ониашвили, А. Чиракадзе, Г. микаберидзе, Г. Урушадзе Институт Металлургий и Материаловедения им. Ф. Тавадзе Грузинский технический университет;

გამოგონებები (საავტორო მოწმობები, პატენტები)

• 2015 - ფერომანგანუმის მიღების ხერხი. P 6622

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა

• STCU #3265, “Fabrication New Functionally Gradient Materials (FGM) by Self Propagating High Temperature Synthesis (SHS)”. Science and Technology Center in Ukraine (STCU) 2003-2005;
• STCU- #3921,. “Development of Innovative SHS-Thermal Explosion Technology for Production of Ti-Al Single-Phase Nanostructured Materials”. Science and Technology Center in Ukraine (STCU) 2006-2008;

დამატებითი ინფორმაცია

სტატიები, წიგნები, მონოგრაფიები, სამეცნიერო ფორუმები (კონფერენცია, სესია, სიმპოზიუმი)

1. Synthesis of nanocrystalline materials in Ti-Al system G. Oniashvili, Z.Aslamazashvili, G. Zakharov, G. Tavadze, G. Urushadze, G. Mikaberidze INTERNATIONAL CONFERENCE “TBILISI- SPRING-2014”.6-9 March 2014 Tbilisi Georgia pp86-89,
2. G. Zakharov, G. Oniashvili, G. Tavadze, Z.Aslamazashvili, G. Mikaberidze M. Chikhradze, G. Urushadze, Development of the technology SHS metallurgy in Georgia. XIV international symposium on Self-propagating High-temperature Synthesis. book of abstracts September 25-28 ,2017, Tbilisi Georgia pp324-329,
3. Z.Aslamazashvili, G. Zakharov, G. Oniashvili, G. Tavadze, G. Mikaberidze M. Chikhradze, G. Urushadze, Microstructure peculiarities of metal-ceramic materials Ti-Cr-C system by SHS -compaction XIV international symposium on Self-propagating High-temperature Synthesis. book of abstracts September 25-28 ,2017, Tbilisi Georgia pp 37-42,
4. Current Carriers Scattering in InP-InAs Solid Solutions
   Nodar Kekelidze, Elza Khutsishvili, Bella Kvirkvelia, Gulnara Urushadze and George Kekelidze
   Laboratory of Semiconductor Materials, Ferdinand Tavadze Institute of Metallurgy and Materials Science, Tbilisi 0160, Georgia
   Institute of Materials Research, Iv. Javakhishvili Tbilisi State University, Tbilisi 0179, Georgia
   Department of Physics, Georgian Technical University, Tbilisi 0175, Georgia,
5. BoT EUROSOLAR, e.V.Bonn 53113, Germany Received: January 03, 2014 / Accepted: January 27, 2014 / Published: February 25, 2014;
6. Synthesis of nanocrystalline materials in TI-Al System Nuclear radiation nanosensors and nanosensory systems. pp. 86-88. Tbilisi, 2014;
7. Impact resistant ceramic composites by SHS metod. xii international symposium on explosive production of new G Urushadze Modern Technologies and Methods of Inorganic Materials Science,Cracow, 2014, pp. 136;
8. Current carriers scattering in InP-InAs solid solutions. G. Urushadze, Nodar Kekelidze, Elza Khutsishvili Journal of Electrical Engineering JEE .Davis Publishing Company. ISSN 2328-2223. Vol.2, #2, pp.86-91. 2014;
9. Electrical properties and Crystal Perfection of the n-type Si-rich SiGe Alloys Bulk Single Crystals Abstracts of the 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, USA, August 10-15, (2014);
10. Transport properties in solid solutions of InP and InAs semiconducting compounds Abstracts of the 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2014) Austin, USA, August 10-15, (2014);
11. We hereby certify that the paper of Co-authors: Elza khutsishvili, Leonti Gaberichidze, Nunu Khutsishvili, Bela Kvirkvelia, Gulnara Urushadze, George Kekelidze , Nodar kekelidze Electrical properties and Crystal perfection of the n-type Si-rich SiGe alloys bulk single-crystals has been presented at the 32nd international conference on the physics of semiconductors (CPS2014) 10-15 ,2014 in Austin,Texas;
12. Creation and Investigation of Radiation-hard Materials for Nuclear- Radiation Sensors. Book of Abstract of INTERNATIONAL CONFERENCE “TBILISI- SPRING-2014”. Nuclear Radiation Nanosensors and Nanosensory Systems. pp.66-68. Supported by The NATO Science for Peace and Security Programme. Publishing House "Technical University". 2014
    Nodar Kekelidze,Elza Khutsishvili,Bella Kvirkvelia,Gulnara Urushadze and George Kekelidze. Current Carriers Scattering in InP-InAs solid Solutions. Journal of Electrical;