დაბადების თარიღი

22.10.1958

განათლება

• 1985 - 1991  წწ. - საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი. ფიზიკის ფაკულტეტი;

სამეც./აკად.ხარისხი (წოდება)

• მაგისტრი;

სამუშაო გამოცდილება

• 1975 წ. - დღემდე - ფერდინანდ თავაძის მეტალურგიის და მასალათმცოდნეობის ინსტიტუტი. ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის ლაბორატორია;
  1975 - 1991 - ლაბორანტი;
  1991 - 2011 - უფროსი ინჟინერი;
  2011 - 2016 - ლაბორანტი;
  2016 წლიდან - ტექნიკოსი;

სახელშეკრულებო სამუშაოები

• 2 საერთაშორისო სამეცნიერო საგრანტო პროექტი;

სამეცნიერო ინტერესები

• ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობა, ტექნოლოგია;

ნაშრომები, პუბლიკაციები

25 პუბლიკაცია, მათ შორის: 

• Current Carriers Scattering on the Neutral Impurity Atoms in Crystals of Indium Phosphide.Advances in Applied Phisics Materials Science Congress. APMAS 2011 v.II p.16 Antalya,Turkey;
• Carbon in SiGe Alloy “New Developments in Materials Science”-Nova Science Publishers-Coeditor,USA, 2010;
• Thermal expansion coefficient and internal friction of InAs-crystals Thermal expansion coefficient and internal friction of InAs-crystals;
• Curent Carriers Scattering in Semiconductors with Various Types of Inhomogeneity. Nano Studies № 3, 4, 2011 გვ. 6;
• Effective segregation coefficient of microimpurities in si obtained by czochralski pulling directly from metallurgical Si mel Proc. of the 2nd international conference: "Modern technologies and methods of inorganic materials science" will be held on April 20-24, 2015 in Tbilisi Georgia;
• Распределение кислорода в кристаллах сплавов SiGe . В кН Термоэлектрики и их применения Доклады Х1 Межгосударственный Семинара Санкт-Петербург. 2008;

სამეცნიერო სიმპოზიუმებში, კონფერენციებში მონაწილეობა

• Структурное совершенство и электрические свойства объёмных монокристалло сплавов SiGe.G Х1 Межгос.семинар РАН «Термоэлектрики и их применения». Санкт-Петербург, Россия(2008);
• Распределение кислорода в кристаллах сплавов SiGe. Х1 Межгос.семинар РАН «Термоэлектрики и их применения». Санкт-Петербург, Россия (2008);
• Elza Khutsishvili, L.Gabrichidze, N.Kobulashvili at alias. Scientific Conference Modern Iissues of Applied Physics. Thermal expansion coefficient and internal frictin of InAs-crystals. Tbilisi 2011; 
• Elza Khutsishvili, L.Gabrichidze, N.Kobulashvili at alias. The Advances in Applied Phisics and Materials Science Congress 12 tu 15 May. Current Carriers Scattering on the Neutral Impurity Atoms in Crystals of Indium phosphide. Antalya, Turkey. 2011; 
• Elza Khutsishvili, L.Gabrichidze, N.Kobulashvili at alias. Effective segregation coefficient of microimpurities in si obtained by czochralski pulling directly from metallurgical Si melt the 2nd international conference: "Modern technologies and methods of inorganic materials science" will be held on April 20-24, 2015 in Tbilisi (Georgia 2015);
• Исследование ортическогопоглощения в соединениях III-V. The International Conference on Advanced Materials and Technologies (ICAMT), 21-23 October, 2015, Tbilisi, Georgia;

სამეცნიერო საგრანტო პროექტებში მონაწილეობა

• 2004 - 2006 წწ. - USTC GG-87;
• 2008 - 2010 წწ. - USTC N-3997;